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来源：魏薇 中新经纬
本周，全球投资者的目光聚焦在一家中国存储企业身上。27日，长鑫科技上市首日总市值突破3万亿元人民币，一跃登顶A股市值榜首。
与此同时，美、韩、日三国股市半导体板块全线承压，三星电子、SK海力士等接连大跌，海外资本真切嗅到了中国存储崛起带来的竞争危机。
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全球存储寡头格局迎来松动
当地时间7月27日，美股芯片股遭受重创，闪迪跌幅居前，大跌11%；阿斯麦（ASML）、超威半导体（AMD）分别下跌5.8%、5.2%。纳斯达克综合指数当日收盘微跌0.2%。
搅动整个美股芯片赛道的核心导火索，正是登陆科创板的长鑫科技。长久以来，全球DRAM（动态随机存取存储器）市场由三星电子、SK海力士和美光科技三家企业主导。长鑫科技目前以8%左右的全球出货量位居行业第四，在充足的资金加持后，市场预计这家中国存储或将撼动市场格局。
“我毫不怀疑这家企业终将成长为全球行业龙头。它如今已是行业挑战者，成为该领域全球领军企业只是时间问题。”7月27日，Yiyi Capital首席执行官Theodore Shou在美国消费者新闻与商业频道（CNBC）《亚洲财经论坛》节目中表示。
另据CNBC此前报道，Z-Ben Advisors分析师彼得・亚历山大认为，参照钢铁、新能源汽车产业的发展路径，长鑫科技将快速抢占低端存储芯片市场份额，并最终撼动三星电子、SK海力士、美光科技在全球存储行业的垄断地位。
《华尔街日报》报道也认为，长鑫科技的成功上市，或将在利润丰厚、需求旺盛的存储芯片赛道形成强有力的竞争冲击。
产业端同样传来利好，本月早些时候有消息曝光，苹果已开始在面向中国市场发售的设备中测试这家中国芯片厂商的DRAM内存芯片。
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韩国股市受挫
作为存储市场的重要参与者，韩国投资者也在关注着中国企业的一举一动。
7月28日，韩国综合股价指数（KOSPI）暴跌10.84%，报6023.63点；三星电子收盘跌13.39%创18年来最大单日跌幅，SK海力士收盘跌14.65%、自6月高点近腰斩。
多家韩国媒体认为，本轮股市急跌被解读为中国最大半导体企业长鑫科技上市带来的冲击。市场担忧长鑫科技凭借股市上市筹得的资金追赶三星电子和SK海力士等半导体企业，这一忧虑蔓延，导致投资心理受挫。
长鑫科技上市的同时，一则中国DUV光刻机将量产的消息也引发全球关注。当地时间7月27日，美国科技媒体The Information援引知情人士消息称，中国已启动国产浸没式深紫外光刻机（DUV）的量产工作。光刻机是芯片制造核心设备，该赛道长期由荷兰厂商阿斯麦（ASML）垄断。
报道显示，这批国产设备预计今年交付中国国内头部芯片企业，包括中芯国际、华虹半导体与长鑫科技。
路透社援引Kiwoom证券分析师韩知英的说法称，中国自研国产深紫外光刻机的消息再度引发市场关注，中国存储厂商或将快速扩产，全球存储市场竞争会进一步白热化。
韩联社称，该消息被市场解读为中国半导体自主化进程取得实质性突破。业内认为，中国存储企业批量采购国产DUV光刻机，将缓解关键设备采购瓶颈、大幅提升扩产能力，进而放量供应通用DRAM芯片，加剧全球存储行业竞争。
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或进军HBM赛道
资本市场愿意给长鑫科技打出万亿估值，关键在于短期业绩空间与长期战略布局两个方面。
先看业绩基本面，当下全球存储巨头都在全力加码HBM（高带宽存储）赛道，传统的DRAM市场面临着严重的供需失衡。高盛今年2月在一份报告中指出，全球DRAM市场的供不应求幅度达到4.9%的新高。巨大的市场空白，刚好留给长鑫充足的盈利增长空间，这是企业短期业绩腾飞的底气。
长远战略层面，市场也看好长鑫科技进军HBM高端算力存储赛道，对其未来突破寄予厚望。业内预计，其上市募资也将为后续的研发、生产补充“弹药”。
据韩联社报道，未来资产证券研究员金锡焕表示：“市场关注点并非长鑫科技当下业绩，而是其IPO募资后加速扩产与技术研发的潜力。如果募集资金被用于扩充新产能，以及开发DDR5（第五代双倍数据率内存）和长期布局HBM，全球存储供应格局可能会因此发生改变。”
另据美联社报道，布鲁金斯学会研究员、中国技术政策专家Kyle Chan表示，长鑫科技被视作中国自主研发高端HBM、为本国人工智能大模型提供算力支撑的最优突破口。
当然，客观来说，长鑫前路依旧布满挑战，DRAM产能扩张速度能否跟上、HBM研发能否突破、未来市场份额是否会提升等都还有待时间的检验。
不可否认的是，中国半导体自主创新的脚步从未停止。外媒对长鑫科技上市的关注，正是国产存储突围的有力佐证。站在全新起点，长鑫科技等一众中国科技企业，将在全球科技版图上书写独属于中国的产业篇章。