
证券日报网7月7日讯,通富微电在接受调研者提问时表示,在存储领域,公司存储芯片封测能力伴随中国存储半导体产业自主发展同步成长,以晶圆减薄与高堆叠封装能力为核心技术,业务范围已全面覆盖FLASH、DRAM中高端产品封测,能够满足大容量、高速度、高堆叠、高可靠性等多维度要求,并与领军企业建立了长期稳定合作关系,形成了完备的量产验证和产业化经验。同时,公司围绕下游市场与客户的升级需求,持续深耕超厚金属层晶圆处理、高堆叠处理、高可靠性产品解决方案等关键工艺,取得良好的技术积累。本募投项目主要是在既有工艺平台和量产经验基础上的产能提升与结构优化,面向的下游产品需求增量显著、发展确定性高,不涉及全新工艺路线的大规模开发。依托公司在存储芯片封装工艺平台、产品导入和客户端协同方面的既有优势,公司具备在较短周期内实现新增存储芯片封测产能爬坡与充分消化的能力,从而为本次存储芯片封测产能提升项目的可行性提供了坚实支撑。
本文标题: 通富微电:公司具备在较短周期内实现新增存储芯片封测产能爬坡与充分消化的能力
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