（来源：雪比特）
本文来自券商分享，不代表投资建议。
【全文摘要】
一、AI 网络通信价值量提升
网络芯片市场规模与增长逻辑
AI 基建中通信网络价值占比持续上行，预测 2026/2027 全球 AI 通信网络芯片市场 1075/1549 亿美元，预测已多次上调。驱动三要素：GPU 集群受通信瓶颈制约，网络提升可拉高 GPU 利用率；大集群带来网络拓扑复杂化；推理业务占比提升加剧计算、存储节点交互。 网络芯片分为交换 / 链路层（约 40%）、物理层（约 60%，NIC、DPU、收发芯片、光模块芯片等），光模块是物理层扩张直接受益环节。海外大厂数据印证网络业务高增速：博通 AI 业务中网络占比显著提升，英伟达 FY2026Q4 网络收入 110 亿美元，同比超 3.5 倍，增速高于 GPU 业务。
Scale‑out：横向扩展
单 GPU 理论 6.1 个收发模组以 NVL72 架构测算，东西向（GPU 之间互联）单 GPU 约 4 个收发模组，复杂度线性 O (N)；南北向（对接外部存储、服务器）单 GPU 约 2.1 个收发模组，合计满配单 GPU 约 6.1 个收发模组。
考虑实际部署不会满配，分平台下调系数：英伟达平台 2026/2027 按 5.2/5.3 个 / GPU，AMD、谷歌 TPU 等平台 4.0‑4.8 个 / GPU，光连接渗透率 85%‑95%；测算 Scale‑out 光模块需求 2026 年 6800 万只，2027 年超 1.1 亿只。
Scale‑up 柜内互联、Scale‑跨域互联
Scale‑up：柜内互联，当前铜缆为主、光渗透率个位数，连接复杂度接近 O (N log N)，是光替代铜最大增量。理论连接基数巨大，但受光器件供给成本约束，实际出货 2026 年 900 万只、2027 年 2840 万只。
Scale‑across：跨数据中心 / 大计算域，数量少、距离长，主打相干光模块，单价高；预计 2027 年出货约 200 万只。
光模块总量预测与光替铜趋势
汇总三类需求，2026/2027 年 400G 及以上数通光模块出货 8110 万只 / 1.467 亿只；其中 1.6T 成为核心增量，出货 2840 万只 / 7630 万只。
速率提升带来物理约束，1.6T 场景铜缆传输距离受限，机柜间已经大规模用光，柜内是未来光渗透最大潜力场景。参考 LightCounting，数通光模块市场 2025 年 190 亿、2026 年 260 亿、2028 年 470 亿美元，机构判断该预测偏保守，存在上调空间。
光模块器件、封装、调制技术路线
光模块由发射、接收链路、DSP 芯片组成，高速主流形态 OSFP（散热强，适配 800G/1.6T）、QSFP‑DD。
EML（InP）：成熟高速方案，产能紧张价格高；
DML/VCSEL：多用于短距；
硅光：依托晶圆产能降本，缓解高速光芯片供给压力，利好模块毛利率；
薄膜铌酸锂：高带宽低功耗，尚在研发阶段（作者注：单通道做到400G以上。
下一代速率：2.4T/3.2T、NPO/CPO/OCS 技术路线光芯片一般领先光模块 1‑2 年迭代。修正转录错误：3.2T 为 400G/lane×8，2.4T 为二线迭代产品，2027 年后有望交付；3.2T 量产时间待确认。
NPO：光引擎靠近 ASIC，外置光源 ELS，2026 年逐步落地，是 CPO 大规模商用前关键过渡方案；
CPO：交换芯片与光引擎共封装，技术门槛高，大规模部署大概率 2027 下半年‑2028 年；
OCS：减少 O/E/O 转换，强依赖网络调度算法，谷歌等具备自研网络能力企业更适配，英伟达仅用于特定备份场景，短期非行业主流。
二、专用型存储：利基 DRAM、SLC‑NAND、NOR‑Flash
核心大逻辑：产能迁移带来结构性供给缺口
全球存储大厂产能向 HBM、DDR5、高层数 3D‑NAND 倾斜，缩减 DDR4、SLC‑NAND 等成熟利基产品产能，催生供给缺口，2025 年缺口显现，2026 年仍是关键年份；短期涨价会小幅延缓海外厂商退出节奏，但不改战略转移大方向。 专用存储包含：利基 DRAM（DDR3L/DDR4/LPDDR4 等）、SLC NAND、NOR Flash。
国产环节：兆易创新 + 长鑫协同是核心
长鑫具备 DRAM 全栈制造能力，兆易创新作为 Fabless 聚焦利基 DRAM 设计，二者深度绑定代工。2026 年兆易向长鑫采购额度 8.25 亿美元，相较 2025 年实际采购额大幅增长 383%，源于产品落地 + 晶圆涨价。在供给紧张背景下，稳定晶圆供给是设计厂商核心竞争力，二者合作支撑国产份额提升。兆易控股子公司青耘科技布局定制化存储，AI 终端、汽车领域已有项目推进，2026 年有望量产。
各品类不可替代的刚性下游场景
利基 DRAM：低延迟随机读写，工业、汽车长生命周期需求占总需求 60% 以上，看重宽温、高稳定；
SLC‑NAND：擦写寿命、断电保存能力强，下游以工控、汽车、物联网、通信基站为主；
NOR‑Flash：XIP 直接执行，用于固件启动、密钥存储；NAND 主打大容量存储，二者结构决定应用分工。
智能驾驶 + 端侧 AI 新增需求
电动智能汽车带动控制器、固件、黑盒日志等需求，拉动三类存储车规需求，车规认证壁垒高、客户粘性强。 端侧 AI 需要兼顾功耗、可靠性，催生定制存储；AI 服务器同样拉高 NOR 需求，GB300 等高端 AI 服务器单机 NOR 容量由传统服务器几十 MB 抬升至 200‑500MB。高端 AI 服务器 NOR 当前以海外厂商为主，国内厂商存在突破机会。
市场规模、价格与供需再平衡时点
2024‑2026 全球专用存储市场：136/168/403 亿美元，本轮扩张价格驱动远大于出货量驱动。
利基 DRAM：价格暴涨，比特出货量 2026 年下滑；
SLC‑NAND：价格大幅上行，比特出货量 2026 年下滑；
NOR‑Flash：价格上涨，比特出货量仍保持 8‑10% 增长。
TrendForce 数据显示 2026 上半年 NOR、SLC‑NAND 合约价翻倍，下半年继续看涨。供给缺口预计2027 年利基 DRAM 新增产能释放后收敛，2Q27 边际改善，2H27 明显再平衡。